中文版 | English

您的位置:首页 > 行业资讯 > 正文

电学性能分析

发布时间:2018/2/6    访问人数:587次
电学性能分析
为了考察了 Ni–Mn–Sn–O 尖晶石结构化合物的电学性能,选取 Ni0.6SnxMn2.4–xO4系列样品作为研究对象,将其已成相的粉体等静压成型,在其成相温度 200℃以上烧结 6 h,获得致密烧结体,进行电阻
第 43 卷第 6 期 王忠兵 等:Ni–Mn–Sn–O 体系相组成及其在负温度系数热敏电阻中的应用 · 779 ·测量。图 5 为部分烧结体的表面扫描电子显微镜(SEM)照片。由图5 可以看出,烧结体表面显微结构十分致密,基本没有气孔存在,晶粒尺寸较大,约 10~20 μm。从高倍率放大照片可以看出,晶界层较薄,不到 100 nm,晶界处十分干净,基本无杂质富集。(a) Low magnification(b) High magnification图 5 Ni0.6SnxMn2.4–xO4 系列样品部分烧结体的 SEM 照片Fig. 5 SEM photographs of some samples forNi0.6SnxMn2.4–xO4 series
图 6 为 Ni0.6SnxMn2.4–xO4(x=0.1~0.6)系列样品在25、50 和 85 ℃时电阻率。由图 6 可以看出,所有试样都呈现 NTC 效应,电阻率随着温度的升高而呈指数性下降。表 2 为各样品 25℃时的电阻率和热敏常数 B,从表 2 可以看出,随着 Sn 元素含量的增加,电阻率呈急剧增加,B 值也保持增加的趋势,当 Sn含量增加到 0.5 时,电阻率已达到兆欧级别。对于Ni–Mn–O系尖晶石,其导电机理是电子在位于 B 位的 Mn3+和 Mn4+之间跳跃而产生的电子跳跃传导机制,因此尖晶石结构中 B 位的 Mn3+和 Mn4+浓度对其电阻率有着决定性的影响。当 Sn 元素引入
Ni–Mn–O 系尖晶石时,以 Sn4+形式进入 B 位,势必造成 B 位的 Mn3+和 Mn4+离子浓度下降,因而其电阻率也呈现相应的指数性增加。电学性能的数据同XRD 中得到的关于 Sn4+在尖晶石结构中的分布是完全一致。图6 Ni0.6SnxMn2.4–xO4(x=0.1~0.6)系列样品在25、50和85 ℃时的电阻率Fig. 6 Resistivity of Ni0.6SnxMn2.4–xO4 (x=0.1–0.6) series at 25,50 and 85 ℃表 2 Ni0.6SnxMn2.4–xO4系列样品在 25 ℃电阻率和热敏常数BTable 2 Resistivity at 25 ℃ and thermal constant B ofNi0.6SnxMn2.4–xO4Sample ρ25℃/(Ω·cm) B/Kx=0.1 5.92×1033 993x=0.2 1.318×1044 143x=0.3 3.178×1044 316x=0.4 2.005×1054 639x=0.5 4.855×1065 022x=0.6 5.383×1075 4803 结论Ni 元素含量在 15%以下时,形成四方尖晶石相。在 15%~30%之间时形成立方尖晶石相。大于30%时则易析出 NiO 相。Sn 元素的含量对成相温度有重要影响,其含量越多,成相温度越高。但当 Sn元素含量达到 30%以上时,则不能进入尖晶石结构中。Sn元素以Sn4+的形式占据尖晶石结构中的B位,会导致其热敏电阻率和热敏常数 B 值急剧增加。
传感器产业高峰论坛暨中电元协敏感元器件与传感器分会年会在青岛举行。会上中国电子元件行业协会古群秘书长作了《中国电子元件行业发展情况》的主旨演讲,其他与会的业内领军人物、权威专家学者对敏感元器件与传感器前沿技术及发展趋势;传感器在汽车电子、消费电子、生物医疗、物联网及工业、农业等领域中的应用;物联网及NTC温度传感器产业概况及发展趋势;MEMS 先进工艺及封装技术发展新动态;新形势下敏感元器件与传感器行业的变革与发展;敏感元器件与传感器行业产业化发展之路进行了深入分析。
我公司汪洋总经理作为“常务理事单位”和江苏兴顺电子有限公司司为昆副总经理,一道主持了除“综合组”外“热敏组”的专题讨论,各企业讨论热烈,对遇到的问题大家相互进行了探讨并向协会提出了建议性的意见。
 南京时恒电子(http://www.shiheng.com.cn)科技有限公司将认真履行“常务理事单位”的责任,继续发挥在行业中的重要作用,为热敏电阻产品发展,为行业水平的进一步提高做出自己的贡献!
咨询热线

025-52121868

收缩